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    支持120W快充|3D封裝技術合封氮化鎵電源芯片RM6820NQ

    來源:亞成微電子 發布時間:2021-11-29 閱讀次數:

    支持120W快充|3D封裝技術高集成合封氮化鎵電源芯片RM6820NQ

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    芯片概述

    RM6820NQ采用行業先進的3D封裝技術,芯片內部集成ZVS反激式開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等,支持最大120W快充,具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點,實現了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充電源設計要求。

    RM6820NQ 集成多種工作模式,在重載情況下,系統工作在傳統的固頻 130Khz 的 PWM 模式下,在低壓輸入時會進入 CCM 模式;在重載情況下,系統工作在 QR 模式,并采用專有 ZVS 技術,以降低開關損耗,同時結合 PFM 工作模式提高系統效率;RM6820NQ 采用專有的驅動技術,搭配高壓 GaNFET功率器件改善 EMI 設計;在輕載或空載情況下,系統工作在 Burst Mode 模式,有效去除音頻噪音,同時在該模式下,RM6820NQ 本身損耗極低,因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下,都集成了特有抖頻工作模式,以改善 EMI。
     
    RM6820NQ 同時集成了多種保護模式和補償電路,包括 VCC OVP,內置 OTP,外置 OVP,欠壓鎖定(uvlo),逐周期過流保護 OCP,過載保護(OLP),CS 短路保護,輸出肖特基短路保護等,并內置斜坡補償和 ZVS 線電壓補償。

     


    功能特點
     

    ■ 支持 CCM/QR 混合模式;

    ■ 專有 ZVS 技術;

    ■ 內置 700V 高壓啟動;

    ■ 內置 650V GaNFET; 

    ■ 支持最大 130KHz 工作頻率;

    ■ 內置特有抖頻技術改善 EMI; 

    ■ Burst Mode 去噪音; ? 

    ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流; 

    ■ 集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償;

    ■ 集成 AC 輸入 Brown out/in 功能;

    ■ 外置 OVP 保護;

    ■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護;

    ■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。


    原理圖
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    產品系列

     

    型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管 應用領域
    RM6820NQ SSR+ZVS 120W PLP8*8 內置GaN

    PD/QC快速充電器

    大功率適配器

    TV電源

     

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